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GSC-1892

缓冲膨胀基底相位可控，可根据客户需求选择不同的基底材料; 储存的锂相/Si较小<2nm，分散更均匀，周期更长; 涂层，采用人工SEI涂层，提升循环，减少膨胀。
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类别：

硅碳负极

关键词：

物理指标

产品

GSC-1892 

碳含量 （%）

≥50

D50（um）

8.0 ± 2

比表面积 （m2/g）

≤5.0

振实密度 （g/cm3）

≥0.7

1.5V 首次容量 （mAh/g）

≥1800

1.5V 首次效率 （%）

≥92.0

0.8V 首次容量 （mAh/g）

≥1600

0.8V 首次效率 （%）

≥84.0

 

SEM图

 

Power supply capacity diagram

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