GSC-1892

缓冲膨胀基底相位可控,可根据客户需求选择不同的基底材料; 储存的锂相/Si较小<2nm,分散更均匀,周期更长; 涂层,采用人工SEI涂层,提升循环,减少膨胀。

SO-1

完整的碳涂层
良好的加工性能

SH1490

产气性能好,常温 产气量小 循环膨胀小,纳米硅晶粒尺寸小 比表面积小,粒度分布均匀
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