GSC-1892
缓冲膨胀基底相位可控，可根据客户需求选择不同的基底材料;
储存的锂相/Si较小<2nm，分散更均匀，周期更长;
涂层，采用人工SEI涂层，提升循环，减少膨胀。
SO-1
完整的碳涂层
良好的加工性能
良好的加工性能
SH1490
产气性能好，常温
产气量小 循环膨胀小，纳米硅晶粒尺寸小
比表面积小，粒度分布均匀
SN-4D
克容量≥350mAh/g，压实密度≥1.65g/cm3，容量高，压实高，膨胀小，循环寿命长。
SN-P2/BP12
克容量为 357mAh/g，建议使用压实的 1.80g/cm3，满足 1C 快充
SN-C1/C1M
克容量为 355mAh/g，建议使用压实的 1.75g/cm3，满足 3C 快充
SN-DKW/SN-DK
克容量 355mAh/g，推荐压实 1.65g/cm3，循环 3000 次循环>，满足 3-4C 快充
SN-K1M/K2M
克容量 355mAh/g，推荐压实 1.65g/cm3，循环 3000 次循环>，满足 3-4C 快充
